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型号: AO4826
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 179 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO4826
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO4826采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或PWM应用。
标准产品AO4826是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO4826L是一个绿色产品订购选项。 AO4826和
AO4826L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 6.3A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 25MΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
30mΩ到< (V
GS
= 4.5V)
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
G2
S1
S2
D2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
60
±20
6.3
5
40
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
50
73
31
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/4
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