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型号: AO4900
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 211 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO4900
双N沟道增强型场
效应晶体管,肖特基二极管
概述
该AO4900采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关和同步整流器的组合用于在DC-使用
DC转换器。肖特基二极管共同封装在平行于所述同步MOSFET ,以提高
效率进一步。
标准产品AO4900是Pb-free (符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4900L是一个绿色产品订购选项。 AO4900和AO4900L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 27mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 32mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 50mΩ以下(V
GS
= 2.5V)
V
DS
(V ) = 30V ,我
F
= 3A ,V
F
=0.5V@1A
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
G2
S2
肖特基
D2
K
D1
SOIC-8
A
G1
S1
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
A
漏电流脉冲
B
MOSFET
30
±12
6.9
5.8
40
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
A
T
A
=70°C
I
F
I
FM
30
3
2
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
47.5
71
32
40
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
° C / W
1/5
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