AO4902
概述
双N沟道增强型场
效应晶体管，肖特基二极管
该AO4902采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。在两个相同的
MOSFET是共同封装在一个肖特基二极管并联，使它们成为许多桥梁和图腾柱
应用中，例如DDR内存。
标准产品AO4902是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4902L是一个绿色产品订购选项。 AO4902和AO4902L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 27mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 3A ，V
F
=0.5V@1A
S2/A2
G2
S1/A1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K2
D2/K2
D1/K1
D1/K1
D1
K1
D2
K2
G1
S1
A1
G2
S2
A2
SOIC-8
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
A
漏电流脉冲
B
MOSFET
30
±12
6.9
5.8
40
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
A
T
A
=70°C
I
F
I
FM
30
3
2
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
47.5
71
32
40
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
° C / W
1/5
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