AO4914
概述
双N沟道增强型场
场效应晶体管与二极管Schcttky
该AO4914采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS （ ON ）和低栅极电荷。两
MOSFET的制造中的DC-DC的紧凑和高效的开关和同步整流器的组合使用
转换器。肖特基二极管共同封装在并行与同步MOSFET ，以进一步提高效率
AO4914是Pb-free （符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4914L是一个绿色产品订购
选项。 AO4914和AO4914L是电相同。
特点
Q1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
R
DS （ ON）
< 18MΩ
R
DS （ ON）
< 28mΩ
Q2
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
<18mΩ
(V
GS
= 10V)
<28mΩ
(V
GS
= 4.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 3A ，V
F
<0.5V@1A
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
Q1
D2
K
D1
Q2
SOIC-8
G2
S2
A
G1
S1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
B
最大Q1
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
最大Q2
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续向前
A
当前
W
°C
单位
V
A
最大肖特基
30
3
2.2
20
2
1.28
-55到150
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
脉冲二极管正向电流
功耗
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
W
°C
1/8
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