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型号: AO6701
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内容描述: P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管 [P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 5 页 / 470 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AO67 01 / MC67 01
M SF T P上
Ø ê
RO
杜牛逼SU M RY
C
M A
V
S
(V
)
r
秒(上)
(O M
H )
I
D
(A
)
D
D
0.130 @ V
S
= -4.5V
±2.5
G
-20
±1.9
0.190 @ V
S
= -2.5V
G
SC Ø牛逼YP
H T ķ
RO
杜牛逼SU M RY
C
M A
V (V
)
f
)
I
F
(A
)
V
A
(V
K
DIOD ; F W D V
e或AR
oltage
20
0.48V @ 1.0A
1.0
TSOP-6
顶视图
A
S
G
1
2
3
6
5
4
K
N / C
D
D
P沟道MOSFET
S
G
K
A
A
BSOLUTE MA
XIMUM RA
Tings的(T
A
= 25℃ ,除非OTHERW
ISE说明)
符号
BOL马克西姆
嗯单位
PARAM
ETER
漏源极电压(M
OSFET )
V
DS
-20
V
V
KA
20
反向电压(肖特基)
V
GS
G
吃源电压(M
OSFET )
±8
连续漏电流(T
J
= 150℃ ) (M
OSFET )
漏电流脉冲(M
OSFET )
b
a
o
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
±2.5
±1.9
±10
-1.6
0.5
8
1.15
0.7
1.0
0.6
A
连续源电流(M
OSFET二极管的导通)
平均正向电流(肖特基)
脉冲正向电流(肖特基)
M
的Axim功耗(M
um
OSFET )
M
的Axim功率耗散(肖特基)
um
a
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
o
o
P
D
W
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55到150
o
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
吨< = 10秒
稳定状态
符号
R
thJA
典型值
93
130
最大
110
150
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
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