AO6702
概述
N沟道增强型场
场效应晶体管与二极管Schcttky
该AO6702采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于实施的双向闭锁开关，或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO6702是Pb-free （符合ROHS &索尼259规格） 。 AO6702L是一个绿色产品订购
选项。 AO6702和AO6702L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 3.8A （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 65mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 95mΩ （V
GS
= 1.8V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
A
S
G
1 6
2 5
3 4
K
N / C
D
G
S
A
D
K
TSOP6
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
20
±8
3.8
3
10
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
1.15
0.7
-55到150
典型值
80.3
117
43
109.4
136.5
58.5
20
2
1
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
135
175
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
1/5
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