AO8810 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8810
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内容描述：	双N沟道逻辑电平MOSFET高性能沟道技术 [Dual N-Channel Logical Level MOSFET High performance trench technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 360 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

飞思卡尔

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

•

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

TSSOP - 8可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AO8 8个10 / MC8 8 10

双N沟道逻辑电平MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（欧姆）

0.022 @ V

= 4.5 V

0.030 @ V

= 2.5V

0.047 @ V

= 1.8V

TSSOP-8

顶视图

N沟道MOSFET

(A)

6.8

5.8

4.7

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

参数

符号最大单位

漏源电压

栅源电压

±12

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

6.8

5.4

±30

1.5

1.0

-55到150

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

, T

英镑

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

thJA

典型值

100

最大

120

吨< = 10秒

稳定状态

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

www.freescale.net.cn

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