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型号: AO8820
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内容描述: 20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel Mosfet]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 241 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO8820
20V共漏极双
N沟道MOSFET
概述
该AO8820采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压可低至1.8V ,同时保留了12V V
GS ( MAX)
投资评级。这是ESD保护。此装置适用于使用
作为一个单向或双向负荷开关,促进了它的共漏极组态。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=3.6V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=1.8V)
ESD保护!
D1
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D2
20V
7A
< 21mΩ
< 24mΩ
< 28mΩ
< 32mΩ
< 50mΩ以下
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
20
±12
7
5.5
30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
64
89
53
最大
83
120
70
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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