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型号: AOB11S65
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内容描述: 650V 11A的MOS TM功率晶体管 [650V 11A a MOS TM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 595 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOT11S65/AOB11S65/AOTF11S65
650V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT11S65 & AOB11S65 & AOTF11S65已经使用了先进的制造
αMOS
TM
被设计为提供高层次的高压工艺
性能和鲁棒性的开关应用。通过提供低R
DS ( ON)
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
Ĵ , MAX
I
DM
R
DS ( ON) ,最大
Q
克,典型值
E
OSS
@ 400V
750V
45A
0.399Ω
13.2nC
2.9µJ
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
符号
AOT11S65/AOB11S65
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
AOTF11S65
650
±30
11*
8*
45
2
60
120
AOTF11S65L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
AOT11S65/AOB11S65
65
0.5
0.63
198
1.6
11
8
11*
8*
A
A
mJ
mJ
31
0.25
W
W / C
V / ns的
°
C
°
C
AOTF11S65L
65
--
4
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
o
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
G
C
T
C
=25°
功耗
B
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
H
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A
A,D
39
0.31
100
20
-55到150
300
AOTF11S65
65
--
3.25
R
θCS
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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