AOT210L/AOB210L
30V N沟道MOSFET
概述
该AOT210L / AOB210L采用沟道MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最
高效的高频开关性能。功率损失是由于最小化,以极低的组合
的R
DS ( ON)
和C
RSS
.
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
30V
105A
< 2.9mΩ ( < 2.6mΩ
∗
)
< 3.7mΩ ( < 3.5mΩ
∗
)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
105
82
400
20
16
68
231
176
88
1.9
1.2
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
54
0.7
最大
15
65
0.85
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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