AOD254
150V N沟道MOSFET
概述
本AOD254采用沟槽MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最有效的高
高频开关performance.Power损失由于最小化,以极低的组合
R
DS ( ON)
和Crss.In此外,开关特性控制良好的软恢复体diode.This设备
理想的升压转换器和同步整流器的消费,电信,工业电源和LED
背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
150V
28A
< 46mΩ
< 53mΩ
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
150
±20
28
20
45
4.5
3.6
12
7
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
1
最大
20
50
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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