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型号: AOD3N40
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内容描述: 400V , 2.6A N沟道MOSFET [400V,2.6A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 511 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD3N40
400V , 2.6A N沟道MOSFET
概述
该AOD3N40一直使用,其被设计来提供一种先进的高电压MOSFET工艺制造
高水准的性能和鲁棒性流行AC- DC应用。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证该设备能
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
500V@150℃
2.6A
< 3.1Ω
TO252
DPAK
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
400
±30
2.6
1.6
5.6
1.5
34
68
5
50
0.4
-50-150
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,G
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
D,F
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
46
-
2.1
最大
55
0.5
2.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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