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型号: AOD4120
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内容描述: N沟道增强型场 [N-Channel Enhancement Mode Field]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 460 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD4120
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOD4120采用先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在PWM时,负载开关和一般用途的应用中使用。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 25A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<18毫欧(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<25毫欧(V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
<75毫欧(V
GS
= 2.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
20
±16
25
19
75
13
25
33
16.7
2.5
1.7
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
B
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
17
40
3.6
最大
25
50
4.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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