AOD4189
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOD4189采用先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。与DPAK封装的优异的耐热性,该装置很适合于高
电流负载的应用。
特点
V
DS
(V) = -40V
I
D
= -40A
(V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 22MΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 29mΩ (V
GS
= -4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
B,H
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
C
最大
-40
±20
-40
-28
-50
-35
61
62.5
31
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
mJ
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
W
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
A,G
最大结点到环境
最大结点到环境
A,G
最大结到外壳
D,F
°C
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2
最大
20
50
2.4
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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