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型号: AOD464
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 471 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD464
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
本AOD464采用先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在高电压同步整流,负载开关和一般用途
各种类型的应用。
特点
V
DS
(V) = 105V
I
D
= 40 A
(V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 28毫欧(V
GS
= 10V ) @ 20A
R
DS ( ON)
< 31毫欧(V
GS
= 6V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
105
±25
40
28
80
20
20
100
50
2.3
1.5
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
最大
18
55
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
B
功耗
A
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
典型值
15
45
1
1/6
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