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型号: AOD476
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 517 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD476
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
本AOD476采用先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在PWM时,负载开关和一般用途的应用中使用。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 25A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<21毫欧(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<28毫欧(V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
<79毫欧(V
GS
= 2.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
雪崩电流
C
C
最大
20
±16
25
20
75
13
25
33.3
16.7
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
V
GS
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
漏电流脉冲
C
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
17
40
3.6
最大
25
50
4.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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