AOD5N50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOD5N50
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内容描述：	500V ， 5A N沟道MOSFET [500V,5A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 535 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOD5N50

500V ， 5A N沟道MOSFET

概述

该AOD5N50使用，旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造

在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

沿

雪崩能力保证该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源

设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

600V@150℃

< 1.6Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

500

±30

3.1

2.8

118

235

104

0.83

-50-150

300

单位

V / ns的

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

重复性雪崩能量

单plused雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

A，G

最大结点到环境

最大外壳到散热器

最大结到外壳

D，F

符号

θJA

θCS

θJC

典型

最大

0.5

1.2

单位

° C / W

1/6

www.freescale.net.cn

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