AOD603A
60V互补MOSFET
概述
该AOD603A采用先进沟道技术MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。所述互补的MOSFET可以在H桥，换流器和其它应用程序中使用。
特点
N沟道
V
DS
= 60V
I
D
= 13A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 60米
< 85米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
P沟道
-60V
-13A （V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
< 115米
< 150米
(V
GS
=-10V)
(V
GS
=-4.5V)
D1
D2
G1
S1
G2
S2
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
P沟道
符号
V
DS
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
最大的n沟道
60
±20
12
9.5
30
3.5
3
19
18
27
13.5
2
1.3
-55至175
最大的p沟道
-60
±20
-12
-9.5
-30
-3
-2.5
25
31
42.5
21.5
2
1.3
-55至175
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数N沟道
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
参数P沟道
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
19
50
4
典型值
19
50
2.5
最大
23
60
5.5
最大
23
60
3.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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