AOD607
加强互补
型场效应晶体管
概述
本AOD607采用先进沟道技术MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。
所述互补的MOSFET可以在H桥，换流器和其它应用程序中使用。
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 30V
-30V
-12A （V
GS
= -10V)
I
D
= 12A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
< 25毫欧（V
GS
=10V)
< 37毫欧（V
GS
= -10V)
< 34毫欧（V
GS
=4.5V)
< 62毫欧（V
GS
= -4.5V)
D1/D2
G1
S1
G2
S2
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
G
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-12
-9.4
-40
-18
40
25
12.5
2.1
1.3
-55至175
典型值
19
47
4.5
19
47
4.5
最大
23
60
6
23
60
6
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
12
9.4
40
18
40
25
12.5
2.1
1.3
-55至175
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
A
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
1/9
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