AOD609
加强互补
型场效应晶体管
概述
本AOD609采用先进沟道技术MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。所述互补的MOSFET可以在H桥，换流器和其它应用程序中使用。
特点
N沟道
V
DS
（V）= 40V，我
D
= 12A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
30mΩ到< （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 40MΩ （V
GS
=4.5V)
P沟道
V
DS
（V）= -40V ，我
D
= -12A （V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
< 45mΩ （ VGS = -10V ）
R
DS （ ON）
< 66mΩ （ VGS = -4.5V ）
顶视图
漏极连接到
TAB
D1/D2
G1
S1
G2
S2
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
40
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
B，H
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
C
B
P沟道
最大的p沟道
-40
±20
-12
-12
-30
-20
20
30
15
2
1.3
-55至175
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
12
12
30
14
9.8
27
14
2
1.3
-55至175
A
mJ
W
W
°C
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A，D
A，D
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
A，D
t
≤
10s
最大结点到环境
A，D
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
17.4
50
4
16.7
50
3.5
最大
25
60
5.5
25
60
5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
1/9
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