欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AOD9N40 参数 Datasheet PDF下载

AOD9N40图片预览
型号: AOD9N40
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 400V , 8A N沟道MOSFET [400V,8A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 513 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AOD9N40的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOD9N40的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOD9N40的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOD9N40的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOD9N40的Datasheet PDF文件第6页  
AOD9N40
400V , 8A N沟道MOSFET
概述
该AOD9N40使用,旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的交直流两用applications.By性能和鲁棒性,提供低R水平
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费,电信,工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
500V@150℃
8A
<0.8Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
B
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
400
±30
8
5
22
3.2
150
300
5
125
1
-50-150
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
o
功耗
减免上述25℃
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
D,F
A,G
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
0.7
最大
55
0.5
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
www.freescale.net.cn