AOD4146/AOI4146
30V N沟道MOSFET
概述
该AOD4146 / AOI4146是用纤维制作SDMOS
TM
沟槽技术,结合优秀的研发
DS ( ON)
与低
门charge.The结果是出色的效率与控制的开关行为。这种普遍的技术是
非常适合于PWM ,负荷开关和一般用途的应用。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
30V
55A
< 5.6mΩ
< 9.5mΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
55
43
190
15
12
50
63
62
31
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2
最大
20
50
2.4
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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