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AOI4185 参数 Datasheet PDF下载

AOI4185图片预览
型号: AOI4185
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内容描述: P沟道增强型场 [P-Channel Enhancement Mode Field]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 388 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD4185/AOI4185
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOD4185 / AOI4185采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低门
费。与DPAK / IPAK封装的优异的耐热性,该装置很适合于高
当前的应用程序。
特点
V
DS
(V) = -40V
I
D
= -40A
(V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 15MΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 20MΩ (V
GS
= -4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
C
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B,H
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
T
C
=25°
C
功耗
B
功耗
A
C
最大
-40
±20
-40
-31
-115
-42
88
62.5
31
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
mJ
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
W
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A,G
最大结点到环境
A,G
最大结到外壳
D,F
°
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2
最大
20
50
2.4
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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