AOK20N60
600V , 20A N沟道MOSFET
概述
该AOK20N60使用一个旨在deliverhigh先进的高电压MOSFET工艺捏造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以迅速地采用到新的和现有的离线POWERSUPPLY
设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
700V@150℃
20A
< 0.37Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOK20N60
600
±30
20
12
80
6.5
630
1260
5
417
3.3
-55到150
300
AOK20N60
40
0.5
0.3
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳