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AON2800图片预览
型号: AON2800
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内容描述: 20V双N沟道MOSFET [20V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 303 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON2800
20V双N沟道MOSFET
概述
该AON2800结合了先进的沟槽MOSFET技术,具有低电阻封装提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=2.5V)
20V
4.5A
< 47mΩ
< 65mΩ
DFN封装2×2
S1
销1
G1
D2
D1
D2
G1
D1
销1
顶部
底部
G2
S2
S1
G2
S2
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
20
±8
4.5
3.8
24
1.5
0.95
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
B
最大结点到环境
B
符号
t
10s
稳态
t
10s
稳态
R
θJA
R
θJA
典型值
35
65
120
175
最大
45
85
155
235
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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