AON4703
20V P沟道MOSFET和肖特基二极管
概述
该AON4703采用先进的沟槽技术为了提供一个优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供，以促进一个比迪rectional阻塞开关的执行，或用于降压转换器应用
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -3.4A （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 90mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 120MΩ （V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= -1.8V)
肖特基
V
KA
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V @ 1A
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部
D
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
G
S
A
K
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
A
漏电流脉冲
B
肖特基反向电压
T
A
=25°C
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
热特性肖特基
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
B
A
MOSFET
-20
±8
-3.4
-2.7
-15
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
20
1.9
1.2
1.7
1.1
-55到150
典型值
51
88
28
66
95
40
7
0.96
0.62
-55到150
最大
75
110
35
80
130
50
V
A
W
°C
单位
° C / W
° C / W
1/6
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