AON5802B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5802B
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 711 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AON5802B

常见的漏双N沟道增强

型场效应晶体管

概述

该AON5802B / L采用了先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作

同时保持一个12V 10V栅极电压低至2.5V

GS （ MAX）

投资评级。此装置适合于用作单向或双向

定向负荷开关，其常见的漏配置提供便利。

AON5802B和AON5802BL是电相同。

-RoHS

柔顺

-AON5802BL是无卤

特点

(V) = 30V

= 7.2A （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 19毫欧（V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 20毫欧（V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 23毫欧（V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 30毫欧（V

= 2.5V)

DFN 2X5

D1/D2

顶视图

底部视图

符号

最大

±12

7.2

5.6

1.6

1.0

-55到150

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

=25°

=70°

=25°

=70°

帝斯曼

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

4.5

最大

单位

C / W

1/5

www.freescale.net.cn

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