AON6242
60V N沟道MOSFET
概述
该AON6242采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的喜GH
高频开关performance.Power损失由于最小化，以极低的组合
R
DS （ ON）
和Crss.In此外，开关性能得到很好的控制与软恢复身体diode.This dev的冰
理想的升压转换器和同步rectifie RS消费，电信，工业电源和LE ð
背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
60V
85A
< 3.6mΩ
< 4.5mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
85
66
240
18.5
14.5
75
281
83
33
2.3
1.4
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14
40
1
最大
17
55
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
