AON6442
40V N沟道MOSFET
概述
该AON6442采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的高
高频开关performance.Power损失由于最小化，以极低的R组合
DS （ ON）
和C
RSS
。此外，开关特性得到很好的控制了"Schottky style"软恢复体二极管。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
40V
32A
< 4.8mΩ
< 7MΩ
D
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
65
42
168
22
18
40
80
35.7
14
4.2
2.7
-55到150
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
25
55
2.6
最大
30
65
3.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
