AON6458
250V ， 14A N沟道MOSFET
概述
该AON6458是使用被设计用于提供高水平的先进的高电压MOSFET的工艺制造
在流行的AC- DC性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力，该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
300V@150℃
14A
< 0.17Ω
g
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复性雪崩能量
C
H
C
最大
250
±30
14
8.8
42
2.2
1.7
4.5
304
608
5
83
33
2
1.25
-50-150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W
W
°C
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
功耗
B
功耗
A
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
53
1
最大
30
64
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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