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AON6482 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AON6482
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内容描述: 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 416 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON6482
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
100
I
AR
(A )峰值雪崩电流
T
A
=25°
C
T
A
=100°
C
功耗( W)
70
60
50
40
30
20
10
1
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(µs)
µ
图12 :单脉冲雪崩能力
(注三)
0
0
25
50
75
100
125
150
C)
T
图13 :功率降容(注F)
10
T
A
=150°
C
T
A
=125°
C
30
25
额定电流我
D
(A)
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C)
图14 :电流降评级(注F)
1000
T
A
=25°
C
功率(W)的
100
10
17
5
2
10
1
0.0001
0.01
1
100
0
18
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=50°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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