AON7458
250V ， 5A N沟道MOSFET
概述
该AON7458是使用被设计用于提供高水平的先进的高电压MOSFET的工艺制造
在流行的AC- DC性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力，该设备可以快速beadopted到新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
300V@150℃
5A
< 0.56Ω
D
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复性雪崩能量
C
G
C
最大
250
±30
5
3.2
16
1.5
1.2
2.1
66
132
5
33
13
3.1
2
-50-150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W
W
°
C
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
C
T
C
=25°
功耗
B
功耗
A
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
3.1
最大
40
75
3.7
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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