AON7700
30V N沟道MOSFET
概述
SRFET
TM
AON7700采用先进的沟槽技术与单片集成肖特基二极管toprovide
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。此装置适合于用作低侧FET在SMPS中,负载
开关和一般用途的应用。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
30V
40A
< 7.2mΩ
< 8.6mΩ
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±12
40
28
100
16
12
17
14
26
10
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
4
最大
40
75
4.8
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
www.freescale.net.cn