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    AON7702B 参数 Datasheet PDF下载

    AON7702B图片预览
    型号： AON7702B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 351 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AON7702B的Datasheet PDF文件第7页  
    AON7702B
    30V N沟道MOSFET
    概述
    SRFET
    TM
    AON7702B采用先进的沟槽技术与单片集成肖特基二极管提供
    优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。此装置适合于用作低侧FET在SMPS中，负载
    开关和一般用途的应用。
    特点
    V
    DS
    I
    D
    （在V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    （在V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    （在V
    GS
    =4.5V)
    30V
    20A
    < 9.5mΩ
    < 14.5mΩ
    D
    顶视图
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    SRFET
    TM
    软恢复
    MOSFET ：
    集成肖特基二极管
    G
    S
    C
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    符号
    参数
    漏源电压
    V
    DS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    G
    漏电流脉冲
    连续漏极
    当前
    雪崩电流
    C
    雪崩能量L = 0.1mH
    T
    C
    =25°
    C
    功耗
    功耗
    B
    C
    C
    最大
    30
    ±20
    20
    15.5
    80
    13.5
    11
    19
    18
    23
    9
    3.1
    2
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    C
    =25°
    C
    T
    C
    =100°
    C
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    I
    D
    I
    DM
    I
    帝斯曼
    I
    AS
    E
    AS
    P
    D
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    A
    A
    mJ
    W
    W
    °
    C
    T
    C
    =100°
    C
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    A
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A D
    最大结到外壳
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJC
    典型值
    30
    60
    4.5
    最大
    40
    75
    5.4
    单位
    °
    C / W
    °
    C / W
    °
    C / W
    1/7
    www.freescale.net.cn

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