AON7902
30V双路非对称N沟道MOSFET
概述
该AON7902旨在提供一个高efficienc Ÿ同步降压功率级与优化布局ð
电路板空间的利用率。它包括一个双电源DFN3.3x3.3A套餐二行业的专业版的MOSFET 。在Q1
"High Side" MOSFET的设计，以尽量减少switchin克损失。第二季度"Low Side" MOSFET采用提前trenc ħ
技术具有单片集成的肖特基提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
AON7902非常适合于紧凑型DC / DC转换器应用中使用。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
Q1
30V
27A
<21mΩ
<28mΩ
Q2
30V
40A
<6.2mΩ
<7.4mΩ
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
顶视图
G2
S2
底部视图
8
1
G1
7
2
D2/S1
6
D1
D1
S2
S2
5
3
4
D1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大Q1
30
±20
24
15
90
8
6
22
24
17
7
1.8
1.1
-55到150
最大Q2
±12
40
31
150
13
10
36
65
50
20
1.8
1.1
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
27
60
6
典型Q2
27
60
2
最大Q1 Q2最大
35
35
72
72
7.5
2.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/11
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