AON7932
30V双不对称
N沟道MOSFET
概述
该AON7932旨在提供具有最佳布局的高效率同步降压功率级和
电路板空间的利用率。它包括两个专门的MOSFET在双电源DFN3x3A包。在Q1
"High Side" MOSFET的设计，以尽量减少开关损耗。第二季度"Low Side" MOSFET使用地沟提前
技术具有单片集成的肖特基提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
AON7932非常适合于紧凑型DC / DC转换器应用中使用。
特点
Q1
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
30V
26A
<20mΩ
<30mΩ
Q2
30V
35A
<12mΩ
<15mΩ
顶视图
底部视图
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大Q1
30
±20
26
16
70
6.6
5.3
18
16
23
9
1.4
0.9
-55到150
最大Q2
±12
35
22
110
8.1
6.5
17
14
25
10
1.4
0.9
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
40
70
4.5
最大Q1
50
90
5.4
典型Q2
40
70
4.2
最大Q2
50
90
5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1 / 11
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