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型号: AON7934
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内容描述: 30V双路非对称N沟道AlphaMOS [30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 628 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON7934
30V双不对称
N沟道AlphaMOS
概述
•最新的沟槽功率AlphaMOS ( MOS LV )技术
α
•非常低的RDS(on ),在4.5V
GS
•低栅极电荷
•高电流能力
•符合RoHS和无卤素标准
特点
Q1
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
30V
16A
<10.2mΩ
<15.8mΩ
Q2
30V
18A
<7.7mΩ
<11.6mΩ
顶视图
底部视图
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
最大Q1
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
功耗
B
功耗
A
C
最大Q2
30
±20
18
14
72
15
9
25
4.1
36
25
10
2.5
0.9
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
±20
16
12
64
13
7.8
19
3.0
36
23
9
2.5
0.9
漏电流脉冲
C
A
A
mJ
V
W
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
40
70
4.5
最大Q1
50
90
5.4
典型Q2 Q2最大
40
50
70
90
4.2
5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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