AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L
60V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
1000
10µs
R
DS ( ON)
100µs
功率(W)的
800
600
400
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
DC
1
10
100
图9 :最大正向偏置
对于AOTF2606L安全工作区
17
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结到外壳
5
对于AOTF2606L (注F)
2
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=4.1°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
0
18
P
D
T
on
T
1
10
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
40
0.1
脉冲宽度(S )
图11: AOTF2606L归最大瞬态热阻抗(注F)
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