AOT27S60/AOB27S60/AOTF27S60
600V 27A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
TM
采用先进的AOT27S60& AOB27S60 & AOTF27S60已制作
αMOS
高压
这是旨在提供在开关应用高水平的性能和鲁棒性的过程。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
Ĵ ， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
110A
0.16Ω
26nC
6µJ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT27S60/AOB27S60
符号
漏源电压
600
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF27S60
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
357
2.9
27
17
±30
27*
17*
110
7.5
110
480
50
0.4
100
20
-55到150
300
AOT27S60/AOB27S60
65
0.5
0.35
AOTF27S60
65
--
2.5
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
R
θCS
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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