AOT29S50/AOB29S50/AOTF29S50
500V 29A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT29S50 & AOB29S50 & AOTF29S50已经使用了先进的制造
αMOS
TM
被设计为提供高层次的高压工艺
性能和鲁棒性的开关应用。通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
Ĵ ， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
600V
120A
0.15Ω
26.6nC
6.3µJ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT29S50/AOB29S50
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
AOTF29S50
500
±30
29*
18*
120
7.5
110
608
AOTF29S50L
单位
V
V
V
GS
C
T
C
=25°
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
o
29
18
29*
18*
A
A
mJ
mJ
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
G
T
C
=25°
C
功耗
减免上述25℃
MOSFET的dv / dt坚固
H
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
B
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
357
2.9
50
0.4
100
20
-55到150
300
37.9
0.3
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
AOT29S50/AOB29S50
65
0.5
0.35
AOTF29S50
65
--
2.5
AOTF29S50L
65
--
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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