欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AOT2N60 参数 Datasheet PDF下载

AOT2N60图片预览
型号: AOT2N60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 600V , 2A N沟道MOSFET [600V,2A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 406 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AOT2N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOT2N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOT2N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOT2N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOT2N60的Datasheet PDF文件第6页  
AOT2N60/AOTF2N60
600V , 2A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOT2N60 & AOTF2N60已经制造
旨在提供流行的AC- DC应用的高水准的性能和鲁棒性。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
700V@150℃
2A
< 4.4Ω
TO-220
TO-220F
D
G
D
S
G
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
AOT2N60
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF2N60
600
±30
2*
1.7*
8
2
60
120
5
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
AOT2N60
65
0.5
1.7
74
0.6
2
1.7
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,D
31
0.25
-55到150
300
AOTF2N60
65
--
4
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
www.freescale.net.cn