AOT430
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
T
J
=125°C
2
200
9.8
16.0
90
0.7
1
80
4700
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
400
180
3
114
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=30A
33
18
21
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
39
70
24
53
143
11.5
19.0
2.7
民
75
1
5
1
4
典型值
最大
单位
V
µA
uA
V
A
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 5V ，我
D
=80A
跨
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
转2 ：
FEB
2007
2/5
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