AOT480L/AOB480L
80V N沟道MOSFET
概述
该AOT480L & AOB480L是用纤维制作SDMOS
TM
沟槽技术,结合优秀的研发
DS ( ON)
同
低栅极电荷&低Q
rr
。结果是出色的效率与控制的开关行为。这
普遍的技术非常适合于PWM ,负载开关和一般用途。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 7V)
80V
180A
< 4.5mΩ
< 5.5mΩ
TO220
TO-263
D
2
PAK
D
D
D
S
D
G
S
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
80
±25
180
134
500
15
12
90
405
333
167
1.9
1.2
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
,I
AR
E
AS
,E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
54
0.35
最大
15
65
0.45
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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