AOT7S65 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT7S65
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内容描述：	650V 7A的MOS TM功率晶体管 [650V 7A a MOS TM Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 702 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOT7S65/AOB7S65/AOTF7S65

650V 7A

MOS

功率晶体管

概述

该AOT7S65 & AOB7S65 & AOTF7S65已经使用了先进的制造

αMOS

被设计为提供高层次的高压工艺

性能和鲁棒性的开关应用。通过提供低R

DS （ ON）

, Q

与ê

OSS

随着雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。

特点

@ T

Ĵ ， MAX

DS （ ON），最大

克，典型值

OSS

@ 400V

750V

30A

0.65Ω

9.2nC

2µJ

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

AOT7S65/AOB7S65

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

AOTF7S65

650

±30

1.7

AOTF7S65L

单位

=25°

=100°

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

AOT7S65/AOB7S65

0.5

1.2

104

0.8

0.2

W / C

V / ns的

AOTF7S65L

4.7

单位

C / W

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

=25°

功耗

减免上述25

MOSFET的dv / dt坚固

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

0.3

100

-55到150

300

AOTF7S65

3.6

θCS

最大外壳到散热器

最大结到外壳

θJC

*漏电流受最高结温。

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