AOT9N70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT9N70
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内容描述：	700V ，9A N沟道MOSFET [700V, 9A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 599 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOT9N70/AOTF9N70

700V ，9A N沟道MOSFET

概述

使用被设计用于提供高水平的性能先进的高电压MOSFET工艺的AOT9N70 & AOTF9N70已经制造和

鲁棒性流行AC- DC应用。通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

800V@150℃

< 1.2Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

AOT9N70

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

重复性雪崩能量

AOTF9N70

700

±30

5.8*

3.2

154

0.4

-55到150

300

AOTF9N70L

单位

=25°

=100°

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

AOT9N70

0.5

0.53

236

1.8

5.8

5.8*

V / ns的

AOTF9N70L

4.5

单位

C / W

单plused雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

27.8

0.22

AOTF9N70

2.5

最大外壳到散热器

最大结到外壳

θJC

*漏电流受最高结温。

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