AOTF18N65 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOTF18N65
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内容描述：	650V ， 18A N沟道MOSFET [650V,18A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 425 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOTF18N65

650V ， 18A N沟道MOSFET

概述

该AOTF18N65使用，旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造

在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

沿

雪崩能力保证这部分可以通过迅速进入新的和现有的离线电源

设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

750V@150℃

18A

< 0.39Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

AOTF18N65

650

±30

18*

12*

6.3

595

1190

0.4

-55到150

300

AOTF18N65

2.5

单位

V / ns的

°C

单位

° C / W

=25°C

=100°C

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

dv / dt的

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

符号

参数

最大结点到环境

A，D

θJA

最大结到外壳

θJC

*漏电流受最高结温。

1/5

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