AOTF20N40
400V , 20A N沟道MOSFET
概述
该AOTF20N40使用,旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以迅速地采用到新的和现有的离线电源
设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
500@150℃
20A
< 0.25Ω
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
符号
AOTF20N40
AOTF20N40L
参数
漏源电压
V
DS
400
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
20*
13*
±30
20*
13*
54
6
540
1080
5
50
0.4
-55到150
300
AOTF20N40
65
2.5
AOTF20N40L
65
3.1
40
0.3
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
E
AS
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
T
C
=25°
C
P
D
B
功耗
减免上述25
o
C
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
T
L
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
符号
参数
A,D
最大结点到环境
R
θJA
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
www.freescale.net.cn