AOU3N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOU3N60
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内容描述：	600V ， 2.5A N沟道MOSFET [600V,2.5A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 560 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOD3N60/AOU3N60

600V ， 2.5A N沟道MOSFET

概述

采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOD3N60 & AOU3N60已经制造

旨在提供流行的AC- DC应用的高水准的性能和鲁棒性。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

700V@150℃

2.5A

＆ LT ; 3.5Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

600

±30

2.5

1.6

120

56.8

0.45

-50-150

300

单位

V / ns的

=25°

=100°

dv / dt的

, T

英镑

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，G

最大外壳到散热器

最大结到外壳

D，F

符号

θJA

θCS

θJC

典型

1.8

最大

0.5

2.2

单位

C / W

1/6

www.freescale.net.cn

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