欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AOU7S65 参数 Datasheet PDF下载

AOU7S65图片预览
型号: AOU7S65
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 650V 7A的MOS TM功率晶体管 [650V 7A a MOS TM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 608 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AOU7S65的Datasheet PDF文件第7页  
AOD7S65/AOU7S65/AOI7S65
650V 7A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOD7S65 & AOU7S65 & AOI7S65已经使用了先进的制造
αMOS
TM
高压
这是旨在提供在开关应用高水平的性能和鲁棒性的过程。
通过提供低R
DS ( ON)
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
Ĵ , MAX
I
DM
R
DS ( ON) ,最大
Q
克,典型值
E
OSS
@ 400V
750V
30A
0.65Ω
9.2nC
2µJ
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
650
±30
7
5
30
1.7
43
86
89
0.7
100
20
-55到150
300
典型
45
--
1.1
最大
55
0.5
1.4
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
D,F
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
C
T
C
=25°
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
K
热特性
参数
最大结点到环境
A,D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
1/7
www.freescale.net.cn