IRF3205Z 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF3205Z
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	12 页 / 753 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRF3205Z/ZS/ZL

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 55V

DS （ ON）

= 6.5mΩ

描述

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。附加功能

这种设计的是一个175 ℃的结操作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能

相结合，使这种设计非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用

应用程序。

= 75A

TO-220AB

IRF3205Z

PAK

IRF3205ZS

马克斯。

110

440

170

TO-262

IRF3205ZL

单位

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（硅有限公司）

@ T

= 100℃连续漏电流， V

@ 10V

@ T

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

= 25 °C功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

（测试）

W / ℃，

1.1

± 20

英镑

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

180

250

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

典型值。

马克斯。

0.90

–––

单位

° C / W

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

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